Mittels chemischer Gasphasendeposition (CVD) werden im I. Physikalischen Institut hochwertige einkristalline Dünnschichten hergestellt, die dann direkt im Anschluss mittels der im Haus zu Verfügung stehenden Analysemethoden charakterisiert werden.

Die auch in der Halbleiterindustrie vielfältig eingesetzte Methode dient dazu Materialien mit möglichst hoher kristalliner Qualität darzustellen; Beispiele hierfür sind Elektronikbauteile sowie Leuchtdioden.

In einer definierten Wachstumsumgebung, bei der Prozessdruck, -temperatur sowie die Zufuhr der benötigten Komponenten höchster Reinheit kontrolliert werden, reagieren die einzelnen Komponenten auf einem einkristallinen Substrat zum eigentlichen Halbleiter, der dann die Vorzugsrichtung der Oberfläche des Substrats annimmt und ebenso einkristallin auf das Substrat aufwächst.

Dazu stehen im I. Physikalischen Institut mehrere eigenentwickelte Hot-Wall-Reaktoren zur Verfügung, bei denen, im Gegensatz zu kommerziell verfügbaren Systemen, im Reaktionsbereich nur Quarzglas zum Einsatz kommt, um mögliche parasitäre Reaktionen mit Fremdsubstanzen beim Kristallwachstum so weit wie möglich zu minimieren.