PASS bietet die physikalische Analytik von Festkörperproben und -Oberflächen sowie die Beratung bei der Produktentwicklung an. Wir verfügen über jahrelange Erfahrungen auf diesem Gebiet. 40 Wissenschaftler bringen ihren Sachverstand ein, um Ihre speziellen Material-Probleme zu bearbeiten. Durch kurze Bearbeitungszeiten unserer Analytik helfen wir Ihnen, Ihre Prozeßabläufe anhand von Stichproben zu optimieren und Ihre Endprodukte zu charakterisieren. Unser Team besteht aus jungen Wissenschaftlern und erfahrenen Gruppenleitern. Unsere Nähe zur Forschung gewährleistet die permanente Innovation unserer Methoden nach dem aktuellen Stand von Wissenschaft, Forschung und Technik.

Unser Service umfaßt sowohl einfache Routine-Messungen als auch umfangreiche Untersuchungen zur Klärung komplexer Fragestellungen, sowie die Erarbeitung von Vorschlägen für Material- und Bauteil-Optimierungen. Folgende Verfahren stehen zur Verfügung:

1. Oberflächen- und Dünnschicht-Analytik
   • Photoelektronen-Spektroskopie (Auger, XPS/ESCA, UPS)
   • SIMS (Massenspektren, Tiefenprofile, Images)
2. Optische Analysen
   • Absorptions-/Lumineszenz-Messungen im Spektralbereich 0,185 - 50 µm
   • Spektralanalyse von Licht verschiedener Quellen
   • Bestimmung von Polarisations-Eigenschaften (im Bereich 0,2 - 1,5 µm und bei Temperaturen von 4 - 300 K)
3. Elektrische Charakterisierungen
   • Leitfähigkeit und Hall-Effekt. Bestimmung von Trägerdichten und Beweglichkeiten im Temperaturbereich 4 - 750 K, bei Magnetfeldern bis 1 T und Stromstärken bis 10^-12 A
4. Magnetische Resonanz-Spektroskopie
   • Elektronenspinresonanz (ESR) mit ENDOR-Zusatz und elektrisch detektierter Spinresonanz
   • optisch detektierte magnetische Resonanz (ODMR)

Technologische Innovationen basieren heute in zunehmendem Maß auf optoelektronischen Materialien und Dünnschichten. Ihre Optimierung erfordert moderne Oberflächen- und Festkörper-Analytik. Typische Aufgabenstellungen und Parameter von Interesse sind in diesem Zusammenhang:

• Analyse von Restverunreinigungen
• Dotierungskontrolle in Halbleitern und Bestimmung der Tiefen- und Flächenhomogenität
• Kontrolle von Diffusionseinflüssen an Interfaces
• Analyse mikroskopischer Defektstrukturen und Ladungsträger-Rekombinationszentren
• Stabilität der Schichtoberflächen gegenüber Feuchtigkeit und Lufteinflüssen
• Optisches Verhalten - Transmission, Reflexion, Polarisation, Brechung
• Dielektrische Funktion
• Ladungsträger-Konzentrationen und Beweglichkeiten
• Bandstrukturen und Bindungsverhältnisse in Dünnschichten.

Nicht jedes Labor besitzt das Instrumentarium zur Lösung derartiger analytischer Probleme. Wir können in solchen Fällen helfen.

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