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April

Bild des Monats April 2013

Die Abbildung zeigt die bläuliche Emission einer in der Form des Logos des I. Physikalischen Instituts strukturierten ZnO/GaN-Leuchtdiode. Die verwendete pin-Diodenstruktur (ca. 100 nm intrinsisches ZnO + ca. 1 µm hochleitendes n-Typ ZnO) wurde mittels Radiofrequenz-Kathodenzerstäubung von Zinkoxid auf einem Galliumnitrit-Templat von OSRAM Opto-Semiconductors im Rahmen des FP07 EU-Projekts ORAMA abgeschieden. Um die Hitzeentwicklung im aktiven Materialbereich zu unterdrücken, wird die Diode gepulst mit einer Frequenz um die 100 Hz und einem An/Aus-Zeitverhältnis von 20 % zu 80 % betrieben.

(Bild eingereicht von Achim Kronenberger, AG Prof. Dr. Bruno K. Meyer, I. Physikalisches Institut.)