Die Abbildung zeigt einen Nanodraht-Feldeffekt-Transistor. Ein mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsener Silizium-dotierter und vom Wachstumssubstrat abgelöster Galliumnitrid-Nanodraht ist an beiden Enden mit Titan/Gold kontaktiert, um zwei ohmsche Kontakte zu erhalten (Drain & Source). Der Platinkontakt in der Mitte dient als Metall-Schottky-Gate. Die Strukturübertragung erfolgte additiv durch thermisches Aufdampfen bzw. Sputtern nach mehreren Elektronenstrahllithografien in PMMA (Polymethylmethacrylat) und anschließendem Metall-lift-off.
(Bild eingereicht von Markus Schäfer, AG Prof. Dr. Martin Eickhoff)
