Bild des Monats MärzDie Abbildung zeigt einen Nanodraht-Feldeffekt-Transistor. Ein mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsener Silizium-dotierter und vom Wachstumssubstrat abgelöster Galliumnitrid-Nanodraht ist an beiden Enden mit Titan/Gold kontaktiert, um zwei ohmsche Kontakte zu erhalten (Drain & Source). Der Platinkontakt in der Mitte dient als Metall-Schottky-Gate.Die Strukturübertragung erfolgte additiv durch thermisches Aufdampfen bzw. Sputtern nach mehreren Elektronenstrahllithografien in PMMA (Polymethylmethacrylat) und anschließendem Metall-lift-off. (Bild eingereicht von Markus Schäfer, AG Eickhoff.)https://www.uni-giessen.de/de/fbz/zentren/lama/LaMaBdM-Bilderordner/LaMa_BdM_2012_Bilder/BdM_2012_03/viewhttps://www.uni-giessen.de/@@site-logo/logo.png
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Bild des Monats März
Die Abbildung zeigt einen Nanodraht-Feldeffekt-Transistor. Ein mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsener Silizium-dotierter und vom Wachstumssubstrat abgelöster Galliumnitrid-Nanodraht ist an beiden Enden mit Titan/Gold kontaktiert, um zwei ohmsche Kontakte zu erhalten (Drain & Source). Der Platinkontakt in der Mitte dient als Metall-Schottky-Gate.Die Strukturübertragung erfolgte additiv durch thermisches Aufdampfen bzw. Sputtern nach mehreren Elektronenstrahllithografien in PMMA (Polymethylmethacrylat) und anschließendem Metall-lift-off. (Bild eingereicht von Markus Schäfer, AG Eickhoff.)