Bild des Monats AprilDie Abbildung zeigt die bläuliche Emission einer in der Form des Logos des I. Physikalischen Instituts strukturierten ZnO/GaN-Leuchtdiode. Die verwendete pin-Diodenstruktur (ca. 100 nm intrinsisches ZnO + ca. 1 µm hochleitendes n-Typ ZnO) wurde mittels Radiofrequenz-Kathodenzerstäubung von Zinkoxid auf einem Galliumnitrit-Templat von OSRAM Opto-Semiconductors im Rahmen des FP07 EU-Projekts ORAMA abgeschieden. Um die Hitzeentwicklung im aktiven Materialbereich zu unterdrücken, wird die Diode gepulst mit einer Frequenz um die 100 Hz und einem An/Aus-Zeitverhältnis von 20 % zu 80 % betrieben. (Bild eingereicht von Achim Kronenberger, AG Prof. Meyer, I. Physikalisches Institut.)https://www.uni-giessen.de/de/fbz/zentren/lama/LaMaBdM-Bilderordner/LaMa_BdM_2013_Bilder/BdM_2013_04/viewhttps://www.uni-giessen.de/@@site-logo/logo.png
Inhaltspezifische Aktionen
Bild des Monats April
Die Abbildung zeigt die bläuliche Emission einer in der Form des Logos des I. Physikalischen Instituts strukturierten ZnO/GaN-Leuchtdiode. Die verwendete pin-Diodenstruktur (ca. 100 nm intrinsisches ZnO + ca. 1 µm hochleitendes n-Typ ZnO) wurde mittels Radiofrequenz-Kathodenzerstäubung von Zinkoxid auf einem Galliumnitrit-Templat von OSRAM Opto-Semiconductors im Rahmen des FP07 EU-Projekts ORAMA abgeschieden. Um die Hitzeentwicklung im aktiven Materialbereich zu unterdrücken, wird die Diode gepulst mit einer Frequenz um die 100 Hz und einem An/Aus-Zeitverhältnis von 20 % zu 80 % betrieben. (Bild eingereicht von Achim Kronenberger, AG Prof. Meyer, I. Physikalisches Institut.)