Inhaltspezifische Aktionen

Januar

Bild des Monats Januar 2013

In Bild a) ist das Übersichtsbild einer hochauflösenden Raster-Transmissions-Elektronenmikroskopaufnahme (STEM) von GaN-Quantendrähten, die auf den Kanten von GaN-Nanodrähten mit AlN-Hülle (AlN-shell) gewachsen wurden, zu sehen (Aufnahmemodus: high angular annular dark field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM).

Bild b): Hochauflösende aberrationskorrigierte HAADF-STEM-Aufnahme eines monoatomaren GaN Quantendrahtes (Q-wire).

Bild c): Vergrößerte Z-Kontrast-Aufnahme eines monoatomaren GaN-Quantendrahtes (hell: Ketten mit Ga-Atomen in GaN).

Die Strukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie in der AG Eickhoff gewachsen, die TEM-Analyse wurde von Prof. J. Arbiol, ICREA, Barcelona, Spanien, durchgeführt. Weitere Einzelheiten finden sich in: “Self-assembled GaN quantum wires on GaN/AlN nanowire templates”, Nanoscale 4, 7517 (2012)