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Oktober

Bild des Monats Oktober 2014

Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme (REM) eines Ge-dotierten GaN Nanodrahtes

Mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie ist es möglich, hochkristalline Gruppe III-Nitrid Nanodraht-Heterostrukturen herzustellen. Neben dem herkömmlichen Dotieren von GaN mittels Si hat sich Ge als herausragender n-Typ Donator in diesem Material erwiesen. Im Gegensatz zur Verwendung von Si ist es mit Ge möglich, Dotierkonzentrationen bis in den Bereich von 1020 cm-3 zu realisieren.

Das Bild des Monats zeigt die Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme (REM) eines Ge-dotierten GaN Nanodrahtes. Dieser ist in drei, durch AlN-Barrieren getrennte (dunkle Bereiche), etwa 400 nm lange Abschnitte mit unterschiedlicher Ge-Konzentration unterteilt. Jeder dieser GaN-Bereiche wurde homogen dotiert, wobei die Dotierkonzentration über drei Größenordnungen (1018 cm-3 bis 1020 cm-3) variiert wurde. Die Variation in der Austrittsarbeit, aufgrund der erfolgten Dotierung, wird durch Kontrastunterschiede (höhere Dotierung hat einen helleren Kontrast) im REM-Bild sichtbar.

(Bild eingereicht von der AG Prof. Dr. Martin Eickhoff)