Universelle Leitfähigkeitsfluktuationen in Ge-dotierten GaN-Nanodrähten
Die Abbildung zeigt Fluktuationen des Magnetwiderstandes eines einzelnen Germanium-dotierten GaN-Nanodrahts gemessen bei tiefen Temperaturen. Solche Fluktuationen sind in mesoskopischen Systemen beobachtbar, deren Dimensionen kleiner sind als die Phasen-Koherenzlänge der Elektronen, d.h. diejenige Länge, auf der die Elektronen ihre Phaseninformation nicht durch Streuprozesse verlieren. In diesen Systemen können Elektronen miteinander interferieren. Das Anlegen eines magnetischen Feldes führt zu Änderungen der Interferenzeffekte, was als Fluktuationen im Magnetwiderstand bzw. der Leitfähigkeit sichtbar wird.
(Präparation des Nanodrahtes: Markus Schäfer, AG Eickhoff; MR-Messungen: Patrick Uredat, AG Klar; Bild eingereicht von Matthias Elm, AG Klar und AG Janek.)
