Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme (REM) einer GaN Nanodraht-Probe.
Die Abbildung zeigt eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme (REM) einer GaN Nanodraht-Probe direkt nach dem Wachstum (oben links: Aufsicht, unten links: Seitenansicht) sowie die einer thermisch nachbehandelten Probe (oben rechts: Aufsicht, unten rechts: Seitenansicht). Durch die thermische Nachbehandlung der GaN Nanodrähte ist eine deutliche Abnahme des Draht-Durchmessers zu verzeichnen, (Bild oben rechts). Auch konnten die ND auf diese Weise stark vereinzelt werden. Ziel dieser Arbeiten ist das Herstellen und die Charakterisierung niederdimensionaler Systeme innerhalb eines einzelnen Nahnodrahtes.
(Bild eingereicht von der AG Prof. Dr. Martin Eickhoff)